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低电压环形振荡器设计

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摘要

提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率.仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz.

著录项

来源
《通信学报》 |2007年第6期|62-6573|共5页
作者
江金光; 李天望;
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作者单位

武汉大学,卫星导航定位技术研究中心,湖北,武汉,430079;

武汉大学,卫星导航定位技术研究中心,湖北,武汉,430079;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类脉冲的产生、脉冲发生器;
关键词
低电压; 环形振荡器; 调节范围;

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