杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为

摘要

Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe^+离子轰击诱生的MoSi_2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(300℃)条件下,Xe^+离子轰击诱生的MoSi_2为六角结构.后退火温度大于850℃时,六角结构的MoSi_2转变为四角结构.选择适当的轰击剂量和衬底温度,利用离子束混合技术可以生长出不含氧杂质的均匀的Mosi_2层.