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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析

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用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .

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来源
《北京师范大学学报：自然科学版》 |2001年第5期|608-611|共4页
作者
王广甫; 刘玉龙; 田人和; 张荟星;
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作者单位

北京师范大学分析测试中心;

中国科学院物理研究所光物理开放实验室;

北京师范大学低能核物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
过滤阴极真空弧沉积; 沉积能量; sp^3键所占比例; FCVAD; 钽-碳薄膜;

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