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具有N^+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性

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摘要

在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N^+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N^+i-p型结构的特点及HBT外基区表面漏电的产生机理.

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来源
《北京师范大学学报：自然科学版》 |1992年第4期|467-471|共5页
作者
魏东平; 李国辉; 朱恩均; 周均铭;
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作者单位

北京师范大学低能核物理研究所;

中国科学院物理研究所;

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正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
HBT; 发射结; 铝镓砷; 砷化镓;

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