B^+和BF_2^+注入预非晶硅所形成浅结的比较

摘要

剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行了测量、对比;通过横断面透射电镜照片,对退火后样品的剩余损伤进行了分析.