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影响AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素

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摘要

从双异质结AlGaN/GaN/AlGaN HMET器件的结构特点,分析了影响二维电子气(2DEG)的若干因素,如AlGaN势垒层中AL组分、势垒层厚度、GaN层厚度等.进一步分析了器件的电学性能.

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来源
《电子世界》 |2018年第11期|21-22|共2页
作者
张子砚;
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作者单位

贵阳学院电子与通信工程学院;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
GaN; 2DEG; 势垒层; 双异质结;

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