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徐政; 缪海滨; 郑若成;
中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;
栅氧; 击穿; 多晶缓冲隔离; 能带;
机译:后栅退火在非钝化AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的栅电流泄漏和击穿机理
机译:部分和完全凹入栅增强模式的AlGaN / GaN MIS HEMT在击穿机理上的比较研究
机译:深入研究双栅CMOSFET中薄栅氧化物的准击穿现象
机译:用DCIV技术研究超薄栅氧化物的准击穿机理
机译:研究含有氧-氧或硫-氧键的有机分子的解离电子转移还原的机理。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:硅MOSFET中栅氧化膜的击穿机理研究。
机译:涡流击穿流动机理综合研究:计算研究与初步控制
机译:开关电路用于直流-直流转换器,具有击穿二极管和电容器,该击穿二极管和电容器串联连接在晶体管的电极和栅电极之间。绝缘栅双极晶体管
机译:氧氮化物栅电介质,特别是用于半导体存储设备的氧氮化物栅电介质,通过硅基板反应或CVD形成氧氮化物层,然后进行反氧化以形成中间二氧化硅层
机译:具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
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