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郑莹; 迟辛格;
沈阳理工大学 辽宁省沈阳市110159;
MOSFET器件; 击穿电压; 阈值电压; 仿真验证;
机译:半超结沟道功率MOSFET的氮化硅层RSO工艺仿真与制备研究
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机译:半导体制造中光刻工艺仿真模型的验证和验证
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机译:“使用高斯工艺仿真和臭氧和一氧化碳的高斯工艺仿真和地面浓度校准全球大气化学传输模型的补充材料”
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机译:基于区块链的电子研究说明验证方法和电子研究用相同的管理装置
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