钨金属栅AIGaNGaN_高电子迁移率晶体管的性能研究

摘要

目前，h1GaN／GaNHEMT因为其具有非常优良的电性能而使得它在微波大功率应用方面极受关注。但其性能一直受到一些因素的限制，之中最主要的便是电流崩塌和击穿电压。本文介绍了使用氯化硅来钝化器件表面以及利用场板结构是抑制这些因素的有效方法。由于钨金属有熔点高的特点，使用钨作为栅极材料，可以显著提高A1GaN／GaNHEMT器件的热稳定性。而肖特基接触又是高功率、高频器件的必要成分，器件的高温稳定性可以实现高品质的肖特基接触。自此来看，使用钨金属作为栅极材料是非常有研究意义的。