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朴巍; 单婵; 刘彦娟;
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,黑龙江省哈尔滨市150001;
总剂量效应 NMDSFET 版图 阈值电压 关态漏电流 浅沟槽隔离;
机译:Pelletron促进剂在研究半导体器件高总剂量辐射效应中的应用
机译:钝化层可降低线性双极型器件的总剂量效应和ELDRS
机译:预测太空中现代集成半导体器件总剂量效应的方法:综述
机译:新型用于1-Gbit器件的掩模版图案缺陷检查系统的评估结果
机译:使用复合材料的抗剪外部加固的混凝土梁的比例效应(法文)。
机译:使用简单通用的模版图案转移技术构建的机械坚固的可拉伸有机光电器件
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:持续评估双极线性器件的总剂量偏差依赖性和ELDRs效应
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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