基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计

摘要

设计了一种基于70 nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50 MHz到3 GHz.采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数.所设计的单管芯LNA增益大约为15 dB,噪声系数约为0.77 dB左右.这种基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性,对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义.