应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端

摘要

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm。芯片测试结果表明:射频前端在900 MHz频带的噪声系数为2.9 dB,输入三阶交调点为-12.8 dBm,在1 800 MHz频带的噪声系数为3.2 dB,输入三阶交调点为-11.9 dBm。工作在1.2 V电源电压时,射频前端在900 MHz频带和1 800 MHz频带消耗的电流分别为16.3 mA和18.3 mA。