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邹雪城; 徐重阳; 张少强; 王长安; 李兴教;
华中理工大学固体电子学系;
迁移率边; 多标度分形; 电导率; 非晶半导体;
机译:用于量化非晶半导体中电子态的分层化的方法及其应用于评估p型非晶氧化物半导体的电荷载流子迁移率
机译:新颖的结构无定形氧化物薄膜晶体管使用物理设备的低压驱动:改善使用非晶氧化物半导体同时提高迁移率和操作稳定性的同时提高迁移率和操作稳定性
机译:在各种膜形成过程中制备的非晶有机半导体膜中的载体迁移率
机译:用于透明薄膜晶体管(TFT)应用的高迁移率非晶氧化物半导体:金属化选择和TFT器件性能
机译:透明非晶氧化物半导体的迁移率间隙内的电子结构。
机译:具有很高透明度的新型铁基三元非晶氧化物半导体电子电导率和迁移率
机译:高迁移率非晶半导体中导带表观离域的起源
机译:非晶半导体纳秒方程中飞行时间方法和时间依赖性光传输的漂移迁移率。年度报告,1984年5月1日至1985年4月30日
机译:高迁移率非晶硅显示非色散传输特性
机译:使用第一和第二导电类型的非单晶半导体层以及非晶和微晶I型半导体层制造半导体元件的方法
机译:非晶硅膜的制造工艺,非晶硅氮化膜的制造方法,微晶硅膜的制造方法以及非单晶半导体装置
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