新型MOS氧化层TiO_2薄膜

摘要

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。