提高声表面波振荡器单边带相位噪声性能的初步探索

摘要

本文从声表面波振荡器（SAWO）单边带相位噪声（L（f））的理论表达式出发,讨论了放大器电路因素和频控元件因素对SAWO之L（f）的影响。指出注重放大器电路与频控元件之间的配合对改善SAWO的L（f）具有极重要意义。经过初步实验,使405MHz SAWO的L（f）从-123dBc/Hz/1kHz改善约3dB/Hz,达到-126dBc/Hz/1kHz。预计有可能使405MHzSAWO的L（f）优于-140dBc/Hz/1kHz。