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李俊锋; 马小龙; 王防防; 许淼;
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;
北京100029;
FinFET器件; SOI衬底; 后栅工艺; 选择性沟道缩小; 亚阈值特性;
机译:利用置换栅工艺和选择性外延生长法制备Ge沟道Mosfets
机译:全息和等离子氧化技术用于抑制栅漏电流的垂直有机场效应晶体管的均匀纳米尺度二维沟道形成
机译:金属栅和硅选择性“仅干灰”工艺的研究,用于混合扩展和光晕注入光致抗蚀剂
机译:使用非掺杂选择性外延Si沟道技术改善具有TiN栅电极的超薄栅氧化物CMOS中的直接隧道栅漏电流
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:用于高通量工艺开发的离心后絮凝工艺的按比例缩小特性
机译:用于数字CMOS工艺的浮栅技术
机译:开发一种新型气体加压工艺技术,用于燃烧后烟道气体的二氧化碳捕集,用于气体加压汽提工艺的第一年技术经济研究结果和方法学。
机译:分离式多晶硅CMOS DRAM工艺,在形成P沟道栅隔离层的过程中,对导电区域进行选择性自对准硅化,对N沟道区域进行氮化物覆盖保护
机译:用于逆变器的绝缘栅型双极晶体管,具有n +个杂质区域,根据各自的沟道面积选择性地形成在覆盖集电极的表面上
机译:用于确定凸点的选择性技术,用于制造带有浮栅的晶体管。
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