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张小林; 严晓洁; 唐昭焕;
重庆中科战储电子有限公司;
重庆400060;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
江苏无锡214072;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
功率VDMOS器件; 单粒子烧毁; 单粒子栅穿; SEBIGR效应;
机译:功率MOSFET SEB / SEGR的实验与数值研究
机译:使用2D FEM仿真研究机械应力对功率VDMOS器件的I-V特性的影响
机译:使用磁致伸缩材料微振动功率器件的基本研究
机译:焊锡厚度对功率VDMOS器件封装热阻影响的研究
机译:多尺度大功率MEMS器件和组件中热效应的系统级研究
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:功率mOsFET sEGR现象及其物理机制研究
机译:VDMOS晶体管,包括VDMOS晶体管的BCD器件以及制造具有此类器件的集成电路的方法
机译:VDMOS晶体管,包括VDMOS晶体管的BCD器件以及用这种器件制造集成电路的方法
机译:功率场效应晶体管,功率场效应晶体管器件和制造功率场效应晶体管的方法
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