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张金风; 王冲; 张进城; 郝跃;
Key Lab of Minis;
try of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices Microelectronics Institute;
Xidian University;
Xi'an 710071;
China;
施主密度; 空间电子云; 载波密度轮廓; 原子物理学;
机译:Effects of GaN channel downscaling in AlGaN–GaN high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate
机译:Effects of Si-doped GaN insert layer in AlGaN/GaN/GaN:Si/AlN DH-HEMT structure
机译:The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
机译:偏见的AlGaN / GaN和Algan / Aln / GaN频道的微波噪声
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:P-GaN / AlGaN / AlN / GaN增强模式场效应晶体管
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