Hodgkin-Huxley神经元反转电势变化对动作电位的影响

摘要

目的:运用数值模拟的方法研究离子通道反转电势参数变化对神经元发放动作电位的影响.方法:参考生理实验结果,运用Simulink软件分别对钠离子通道、钾离子通道和漏通道反转电势偏离标准值±10％、±20％、±30％下的Hodgkin-Huxley神经元模型进行建模,施加相同的刺激电流,得到神经元动作电位的响应结果.结果:3个通道的反转电势ENa、EK、El太小时,神经元不能正常发放连续的动作电位.在一定范围内增加时,ENa、EK、El都会使相同时间段内神经元动作电位的发放个数增加.并且当EK变化导致神经元异常放电时,可以通过调节ENa来使神经元恢复正常放电.结论:离子通道反转电势的异变导致神经元的异常放电,这可能是离子通道疾病的病因.模拟结果表明离子通道疾病的治疗可以在多离子通道的参数调节上同时进行,这为其致病机理和临床治疗等研究提供了一定的思路和方法.