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刘果果; 魏珂; 郑英奎; 刘新宇; 和致经;
中国科学院微电子研究所,北京,100029;
AlGaN/GaN; HEMT; 器件布局; 寄生参数; 空气桥;
机译:通过设计绝缘体/ AlGaN / GaN结构来提高MIS AlGaN / GaN HFET的器件性能
机译:X射线光电子能谱研究通过在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上的AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层来改善器件性能的起源
机译:在MIS AlGaN / GaN HFET中设计绝缘体/ AlGaN结构以提高器件性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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