p＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器

摘要

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱，红外吸收谱，Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。