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宋明旭; 王怀鹏; 孙翊淋; 蔡理; 杨晓阔; 谢丹;
空军工程大学基础部 西安710051;
清华大学集成电路学院 北京100084;
北京理工大学集成电路与电子学院 北京100081;
碳纳米管网络; 表面掺杂; 阈值电压调控; 密度泛函理论;
机译:阴离子在碳纳米管AuCl3掺杂中的作用
机译:AuCl3掺杂碳纳米管的吸湿效应
机译:轻掺杂漏区中掺杂物浓度对N型金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响
机译:掺杂N及其位置对石墨烯催化氢氯化氢反应的影响AuCl3
机译:碳纳米管调节:AB Initio模拟交错相互作用,缺陷和掺杂对碳纳米管电子性质的影响
机译:通过n型分子掺杂来调整碳纳米管晶体管的阈值电压以实现强大而灵活的互补电路
机译:AuCl3官能化碳纳米管的p型特征的起源
机译:通过添加单壁碳纳米管显着增强聚酰亚胺膜的机械和电学性能
机译:掺杂包括碳纳米管的晶体管的方法和控制掺杂离子的位置的方法以及使用该方法的晶体管
机译:掺杂包括碳纳米管的晶体管的方法,控制掺杂离子的位置的方法以及使用该方法的晶体管
机译:包含碳纳米管的晶体管的掺杂方法,掺杂离子的位置控制方法以及晶体管
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