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单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

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来源
《物理学报》 |2013年第10期|P.428-433|共6页
作者
辛艳辉; 刘红侠; 范小娇; 卓青青;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
应变Si; 阈值电压; 短沟道效应; 漏致势垒降低;

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