用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路

摘要

在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOI CMOS激光测距集成电路.测试结果表明: 1.2 μm器件101级环振单门延迟为252 ps,总延迟为54.2 ns.电路静态功耗约为3 mW,动态功耗为15 mW.