GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究

摘要

利用Ｘ射线光电子能谱的深度剖面技术，对不同衬底温度下分子束外延生长的Ｍｎ薄膜及其与ＧａＡｓ（００１）衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于４００Ｋ制备的ｆｃｃ－Ｍｎ／ＧａＡｓ（００１）体系中，ｆｃｃ－Ｍｎ层与ＧａＡｓ衬底之间存在一层较厚的Ｍｎ－Ｇａ－Ａｓ的缓冲层；衬底温度等于３００Ｋ（室温）时制备的α－Ｍｎ／ＧａＡｓ（００１）体系中也存在类似的缓冲层，但它的