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邵庆益; 方容川; 廖源; 韩祀瑾;
中国科学技术大学物理系;
薄膜生长; 成核; 衬底表面覆盖;
机译:衬底表面缺陷对YBa2Cu3O7-x薄膜成核和多晶银生长的可见影响
机译:相稳定和衬底对(Ti,V)_n + 1GeC_n薄膜成核和生长的影响
机译:衬底对等离子体增强原子层和化学气相沉积相结合对Ge2Sb2Te5薄膜成核和生长行为的影响
机译:邻近衬底Si(001)上的GaAs MBE:成核和生长条件对外延层的表面形态和晶体学性质的影响
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:相稳定和衬底对(Ti,V)(n + 1)GeC(n)薄膜成核和生长的影响
机译:衬底表面对超导薄膜成核和生长的影响。
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:与计算机的定点设备一起使用的衬底,该衬底的制造方法,自粘乙烯基薄膜在衬底下表面的形成中的使用以及表面纹理薄膜在衬底上的使用顶面的形成
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