GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

著录项

• 来源
  《物理学报》 |1999年第8期|1541-1546|共6页
• 作者

  姜卫红; 许怀哲; 龚谦; 徐波; 王吉政; 周伟; 梁基本; 王占国;

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• 作者单位

  中国科学院半导体研究所半导体材料开放研究实验室;

  中国科学院半导体研究所半导体材料开放研究实验室;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN304.23;
• 关键词

  砷化镓; 衬底; 砷化铟; 量子点; 光学特性;