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InSb(211)A,B表面电子结构特性

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摘要

采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.

著录项

来源
《物理学报》 |2000年第2期|318-323|共6页
作者
贾瑜; 陈国剑; 马丙现; 胡行; 顾华伟; 李新建;
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作者单位

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;

河南大学物理系,河南大学科研处,开封,475001;

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
锑化铟; 半导体; 表面; 电子结构;

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