6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究

摘要

给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大,注入激活率低等问题.分析了该器件的电流输运机理,并通过MEDICI模拟,给出了SiC肖特基源漏MOSFET伏安特性以及其和金属功函数、栅氧化层厚度和栅长关系.