SiGe HBT势垒电容模型

吕懿; 张鹤鸣; 戴显英; 胡辉勇; 舒斌

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >SiGe HBT势垒电容模型

SiGe HBT势垒电容模型

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在考虑SiGe HBT的势垒电容时,通常的耗尽层近似不再适用,应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容模型应用于SiGe HBT频率特性模拟,模拟结果与实验结果符合得很好.

著录项

来源
《物理学报》 |2004年第9期|3239-3244|共6页
作者
吕懿; 张鹤鸣; 戴显英; 胡辉勇; 舒斌;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
SiGe HBT; 势垒电容; 微分电容;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容 [J] . 吕懿 ,张鹤鸣 ,戴显英 . 西安电子科技大学学报（自然科学版） . 2004,第006期
2. SiGe HBT大信号扩散电容模型研究 [J] . 胡辉勇 ,张鹤鸣 ,戴显英 . 电子器件 . 2006,第001期
3. 减弱SiGe HBT势垒效应 [J] . 李蕊 . 重庆理工大学学报（自然科学版） . 2008,第010期
4. 势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响 [J] . 李蕊 . 重庆理工大学学报（自然科学版） . 2007,第008期
5. 势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响 [J] . 李蕊 . 重庆工学院学报 . 2007,第015期
6. 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型 [C] . 朱永刚 ,戴显英 ,李立 . 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 . 2005
7. SiGe HBT基于物理的Scalable模型及InP HBT模型研究 [A] . 张林 . 2013

SiGe HBT势垒电容模型

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅