浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

何宝平; 郭红霞; 龚建成; 王桂珍; 罗尹虹; 李永宏

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浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估

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利用60Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了集成电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应;按照定义的失效标准和外推实验技术,探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系;根据失效时间与辐射剂量率的函数关系,预估了浮栅ROM集成电路AT29C256(9911)和AT29C256(9939)空间低剂量率辐射失效时间.

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来源
《物理学报》 |2004年第9期|3125-3129|共5页
作者
何宝平; 郭红霞; 龚建成; 王桂珍; 罗尹虹; 李永宏;
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作者单位

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
低剂量率; 辐射损伤; 失效时间; 总剂量;

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