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成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 李传波; 毛容伟; 左玉华; 罗丽萍; 王启明;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
SiGe合金; 应变; 带隙;
机译:用深层光谱和深层瞬态光谱法测定在SiGe / Si和GaAs上生长的p型ln_(0.4)gGa_(0.51)P中的带隙态
机译:室温下拉伸应变的Ge / SiGe多量子阱的直接带隙电致发光
机译:n型应变补偿的Ge / SiGe多量子阱的室温直接带隙电致发光
机译:在低带隙应变(Si)Ge(Sn)半导体上形成栅叠层和Ni(SiGeSn)金属接触
机译:以上是直接带隙材料的带隙热光系数测量值。
机译:直接带隙GeSn / SiGeSn 2D和0D异质结构中载流子限制的研究
机译:深度光谱光谱和深层瞬态光谱法在SiGe / Si和GaAs上生长的p型In0.49Ga0.51p中带隙状态的测定
机译:热压n型siGe / Gap和p型siGe / B热电材料的优化
机译:在同一衬底上形成拉伸应变的SiGe鳍片和压缩应变的SiGe鳍片的方法和结构
机译:带拉伸应变的SI / SIGE带内隧道二极管
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
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