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刘洪; 蒲朝辉; 龚小刚; 王志红; 黄惠东; 李言荣; 肖定全; 朱建国;
四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;
PLT薄膜; 电畴; PFM; 极化;
机译:(111)取向(Pb,La)TiO_3薄膜的纳米带状90°畴图案
机译:使用压电响应力显微镜对在LaNiO3 / LaAlO3(100)和Pt / Si(111)上生长的(Pb,Ca)TiO3薄膜中的铁电和压电性质进行纳米级研究
机译:Pb(CA,BA)TiO3,Pb(SR,BA)TiO3和Pb(SR,CA)TiO3复合钙钛矿结构的组合理论和纳米级实验研究:对铁电和电子性能的研究
机译:高(111)取向纳米Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的铁电和热电性质
机译:铁电薄膜中90°畴的纳米尺度行为。
机译:铁电PbTiO3薄膜中90°带电畴壁的偶极子挫折的原子尺度映射
机译:铁电多层(Pb,La)TiO3 /(Pb,Ca)TiO3溶胶-凝胶薄膜的组成和结构研究
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:具有90纳米厚度或更少厚度的铁电薄膜的90铁电存储器及其制造方法
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