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王冲; 冯倩; 郝跃; 万辉;
西安电子科技大学微电子研究所,西安710071;
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071;
AlGaN/GaN; 肖特基接触; 表面处理; 退火;
机译:AlGaN / GaN异质结构上热退火的Ni / Au和Ni / Pt / Au肖特基接触的电和微观结构性质
机译:插入高功函数金属对n-GaN和AlGaN / GaN上基于Ni / Au的肖特基接触的热退火效应
机译:在w-GaN和AlGaN / GaN上作为肖特基接触的退火Ni / Pt / Au金属系统
机译:通过表面处理改善了200mm Si晶片上的无AU-AlGaN / GaN肖特基二极管的动态特性
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:AlGaN / GaN上退火的Ti / Si / Ti / Al / Ni / Au中的肖特基-欧姆特性
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义
机译:门控AlGaN / GaN异质结肖特基器件
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
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