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戴佳钰; 张栋文; 袁建民;
国防科学技术大学物理系,长沙,410073;
密度泛函理论; 表面结构; APW; 表面原子吸附;
机译:Xe原子在TiO_2(110)表面的吸附:密度泛函研究
机译:GaAs(110)表面上单个Mn原子的吸附,偏析和磁化
机译:GaAs(110)表面上单个吸附原子(Cs)或空位(As)的局部费米能级钉扎
机译:GaAs(110)表面上氧和氢原子的吸附
机译:干净的钽(110)以及钽(110)上化学吸附的单价原子的表面电子结构。
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:吸附在Nb(110)表面上的Xe原子的第一性原理研究
机译:Ge / Gaas(110),Ge / Inp(110)和Ge / Insb(110)异质结的中断,原子分布和能级。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
机译:蓝宝石表面的电子束加热和原子表面重构
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