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邢艳辉; 韩军; 邓军; 李建军; 沈光地;
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;
金属有机物化学淀积; 氮化物; 原子力显微镜; 光致发光;
机译:脉冲激光沉积在蓝宝石衬底上生长c面和a面GaN外延膜的性能比较研究
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.15Ga0.85N / n + sup> -GaN异质结中的负微分电阻
机译:通过AU辅助化学气相沉积在C平面蓝宝石衬底上的N极打结GaN纳米线的自组装和生长机理
机译:沉积在蓝宝石衬底上的未掺杂和掺杂纤锌矿GaN膜的光致发光研究
机译:通过MOCVD增强了蓝宝石衬底上的III型氮化物HEMT的器件性能。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的alN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容 - 电压表征
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较
机译:由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
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