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卓青青; 刘红侠; 彭里; 杨兆年; 蔡惠民;
西安电子科技大学微电子学院;
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
西安710071;
总剂量效应; kink效应; 碰撞电离; 背栅异常跨导;
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:低压互补金属氧化物半导体电路设计在正向偏置条件下的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管建模
机译:快速重离子辐照和N沟道耗尽I-V特性的退火研究金属-氧化物-半导体场效应晶体管
机译:高性能薄膜晶体管通过金属氧化物半导体使得具有聚苯胺在沟道层中进行金属氧化物半导体
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:源极/漏极寄生电阻对超薄体III-V沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件性能的影响
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译:用于制造半导体器件的沉积设备,例如肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管,包括第一和第二腔室,泵浦部分,气体注入部分和连接部分
机译:耗尽型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制造方法
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