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H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响

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摘要

以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.

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来源
《物理学报》 |2006年第11期|5959-5963|共5页
作者
祁菁; 金晶; 胡海龙; 高平奇; 袁保和; 贺德衍;
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作者单位

兰州大学物理系;

兰州730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
低温多晶Si薄膜; 等离子体CVD; Ar稀释SiH4; H2比例;

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