环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

许立军; 张鹤鸣

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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

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结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

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来源
《物理学报》 |2013年第10期|434-439|共6页
作者
许立军; 张鹤鸣;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件重点实验室;

西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管; 二维泊松方程; 阈值电压模型; 漏致势垒降低;

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