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Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程

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摘要

CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.

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来源
《物理学报》 |2013年第7期|385-391|共7页
作者
刘芳芳; 张力; 何青;
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作者单位

南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
CIGS薄膜; 共蒸发三步法; 相变过程;

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