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王琛; 温盼; 彭聪; 徐萌; 陈龙龙; 李喜峰; 张建华;
上海大学材料科学与工程学院;
上海大学;
非晶铟镓锌氧化物; 薄膜晶体管; 钝化层;
机译:具有可调耐酸的Zr掺杂的氧化铟有源层的背沟道刻蚀薄膜晶体管
机译:MoTa源/漏的背沟道刻蚀型InGaZnO薄膜晶体管的新型制造
机译:通过损坏的反向沟道的固化和钝化实现高性能低成本反向沟道刻蚀非晶态镓铟锌氧化物薄膜晶体管
机译:PH值不同的湿法刻蚀剂对背沟道刻蚀a-IGZO薄膜晶体管性能的影响
机译:栅极分离对IGZO薄膜晶体管行为的影响
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:刻蚀停止层对低温制备的非晶IGZO薄膜晶体管特性的影响
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。
机译:具有不同氧浓度的背沟道蚀刻薄膜晶体管的多层钝化层
机译:具有用于防止背沟道效应的氮氧化硅膜和氮化硅沟道钝化膜的薄膜晶体管的制造方法
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