HEMT的新型分析模型

摘要

本文提出了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的新型分析模型。模型采用了Giblin等提出的经验电子速场公式,并全面地考虑了沟道电流的扩散分量及GaAs缓冲层寄生电阻的影响。理论计算的HEMT Ⅰ-Ⅴ特性与实验结果符合很好。由本文模型还推导出了HEMT沟道电导、跨导、栅电容和截止频率等微波参数表达式。