a—SiC/a—Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

摘要

本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。