自封闭低压硅场致发射二极管的研究

摘要

本文首次利用硅片直接键合技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管，实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０＾－４Ａ量级，文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详细的分析。