用挖补圆盘法检测金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触性能

摘要

在平面型器件和各种新型微电子器件中，金属与薄层，超薄半导体层的欧姆接触质量直接影响着器件的性能。本文提出了一种挖初圆盘法来检测它们的欧姆接触性能。由电势叠加原理导出了理论公式。此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结构的特点，自然免除了侧向电流聚集效应，从而提高了精度。若将接触结构稍加发展，则更为简捷实用。