2～26GHz GaAs单片功率放大器

摘要

报道了一个具有低噪声性能的2～26GHz GaAs超宽带单片功率放大器的研究结果,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程.放大器采用分布式设计,在超宽带频率范围内增益为6.5±0.5dB,输入输出驻波比小于2.0.在2～20GHz内测得输出功率大于300mW,噪声系数为3.5～5.5dB.单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路,芯片面积为3.2mm×1.275mm×0.1mm.