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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

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摘要

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.

著录项

来源
《电子学报》 |2000年第8期|66-6871|共4页
作者
郑元芬; 郭维廉; 张世林; 张培宁; 李树荣; 郑云光; 陈弘达; 吴荣汉; 林世鸣; 芦秀玲;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

天津大学电子信息工程学院,天津,300072;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电器件、光电管;
关键词
硅光电负阻器件; "λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT); 光双稳开关时间;

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