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离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

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摘要

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能.测量结果表明,镀碳钼栅的电子发射量显著减少.依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果,初步探讨了离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射的机制.

著录项

来源
《电子学报》 |2002年第5期|661-663|共3页
作者
柳襄怀; 任琮欣; 江炳尧; 朱宏; 刘炎源; 刘静贤;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;

中国科学院电子学研究所,北京,100080;

中国科学院电子学研究所,北京,100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类行波管;
关键词
钼栅极; 电子发射; 离子束辅助沉积;

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