首页> 中文期刊> 《电子学报》 >利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功

利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功

         

摘要

在1×10-6~10-5Pa环境压强下,经过高温退火处理,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像;对碳化钨薄膜的场发射I-V特性及Fowler-Nordheim曲线进行测量和计算;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子β,利用Fowler-Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为3.79eV.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号