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外加偏置磁场对静磁波模式及其频带的影响

         

摘要

本文完整地展现了磁光薄膜中任意倾斜的外加直流偏置磁场对微波静磁波激发模式及其带宽的影响,实现了对不同静磁模的统一考虑,为进一步分析磁光Bragg器件的衍射性能提供理论基础.计算分析表明:(1)当外加偏置磁场的大小不变时,传统磁化情形下的静磁波带宽最大,此时基于静磁反向体波(MSBVW)的磁光Bragg器件较相应的静磁正向体波(MSFVW)器件有更高的工作频率;(2)在适当倾斜的偏置磁场作用下,MSBVW、MSFVW和静磁表面波(MSSW)均可被激发,它们的激发频率依次增大;(3)通过倾斜偏置磁场可使MSFVW的频带向高频移动.

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |2007年第11期|2198-2200|共3页
  • 作者单位

    电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室,四川成都,610054;

    电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室,四川成都,610054;

    电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室,四川成都,610054;

    电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室,四川成都,610054;

    电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室,四川成都,610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 磁学性质;
  • 关键词

    静磁波; 偏置磁场; 磁光薄膜; Bragg器件;

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